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陆东赛

作品数：5 被引量：6H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

  • 5个电子电信
  • 5个理学
  • 1个化学工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个一般工业技术

主题

  • 5个石墨
  • 5个石墨烯
  • 5个碳化硅
  • 5个碳化硅衬底
  • 5个退火
  • 5个退火时间
  • 5个热解法
  • 4个正交
  • 4个正交实验
  • 4个偏角
  • 4个肖特基
  • 4个肖特基二极管
  • 3个导通
  • 3个导通电阻
  • 3个电子迁移率
  • 3个电阻
  • 2个氮化镓
  • 2个形貌
  • 2个亚微米
  • 2个氧化物半导体

机构

  • 5个南京电子器件...
  • 1个长春光学精密...
  • 1个中国科学院

资助

  • 3个国家高技术研...
  • 3个国家自然科学...
  • 2个江苏省自然科...
  • 2个国家电网公司...
  • 1个国家重点基础...
  • 1个江苏省青年科...
  • 1个国家杰出青年...
  • 1个江苏省科技支...
  • 1个国家重点实验...
  • 1个教育部“新世...
  • 1个中国科学院知...
  • 1个中央高校基本...

传媒

  • 5个人工晶体学报
  • 5个固体电子学研...
  • 5个第13届全国...
  • 3个半导体技术
  • 3个2012全国...
  • 2个Journa...
  • 2个物理学报
  • 2个发光学报
  • 2个电子与封装
  • 2个智能电网
  • 2个第十届全国分...
  • 1个功能材料
  • 1个兵工学报
  • 1个光谱学与光谱...
  • 1个长春光学精密...
  • 1个中国有色金属...
  • 1个半导体杂志
  • 1个电子器件
  • 1个功能材料与器...
  • 1个光电子技术

地区

  • 5个江苏省
共 5 条 记 录，以下是 1-5
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC H型 碳化硅 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 单晶 SI-GAAS单晶 SIC衬底 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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