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公衍刚

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供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
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刘存生
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:氧 沟槽 抗辐射 场效应晶体管 抗辐射加固
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孙有民
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 发射区 集电区 总剂量辐射 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁永杰
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:粗糙度 表面粗糙度 LOSS CMOS 35ΜM_CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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