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向华兵

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 16个重庆市
  • 1个江苏省
  • 1个北京市
  • 1个天津市
共 19 条 记 录，以下是 1-10
廖乃镘
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：电荷耦合器件 CCD 氢化非晶硅薄膜 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李仁豪
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 电荷耦合器件 TDI 读出电路 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨修伟
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 选择比 光刻 阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阙蔺兰
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：多晶硅 LPCVD CCD 电荷耦合器件 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗春林
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：电荷耦合器件 多晶硅 硅片 CCD 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李贝
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：表面光电压 铁离子 沾污 电荷耦合器件 硅片清洗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岳志强
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 成像 反应离子刻蚀 光电探测
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林海青
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：表面光电压法 表面光电压 CCD 放大器 沟道长度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD TDI 高分辨率 可见光CCD 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍明娟
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 穿刺 铝 金属化 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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