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费晨曦

作品数：11 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

领域

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地区

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共 9 条 记 录，以下是 1-9
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪星
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 原子层淀积 高K栅介质 金属栅 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 高K栅介质 金属栅 高校 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范小娇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 应变SI 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马飞
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单片机 金属氧化物半导体场效应晶体管 原子层淀积 SPI接口 扩频通信
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊继斌
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 硅衬底 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱嘉
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：CMOS工艺 检测电路 ESD 哈希 哈夫曼编码
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨兆年
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：CMOS工艺 静电放电 箝位电路 碰撞电离 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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