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汪星

作品数：15 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇场效应
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇栅介质
  • 6篇氧化物半导体
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体场效应...
  • 6篇衬底
  • 4篇淀积
  • 4篇原子层淀积
  • 4篇介质
  • 4篇金属栅
  • 4篇高K栅介质
  • 3篇栅介质材料
  • 2篇电介质膜
  • 2篇多聚焦图像
  • 2篇多聚焦图像融...
  • 2篇氧化层

机构

  • 15篇西安电子科技...

作者

  • 15篇汪星
  • 10篇刘红侠
  • 7篇赵璐
  • 7篇费晨曦
  • 2篇王龙
  • 2篇韩军功
  • 2篇卓青青
  • 2篇孔宪光
  • 2篇陈树鹏
  • 2篇范小娇
  • 2篇张强
  • 2篇殷磊
  • 1篇张丹
  • 1篇李伟
  • 1篇刘永杰
  • 1篇赵东东

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，外延...
刘红侠陈树鹏张丹陈煜海刘永杰王倩琼赵东东汪星
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基于La基栅的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法
本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO<S...
刘红侠赵璐陈煜海冯兴尧汪星费晨曦
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基于一致性约束非负稀疏表示的多聚焦图像融合方法
本发明提出了一种基于一致性约束非负稀疏表示的多聚焦图像融合方法，用于解决现有技术中存在的融合图像清晰度低和融合复杂度较高的技术问题。其实现步骤是：输入经过配准的源图像；构建源图像的向量化矩阵；构建基于一致性约束的非负稀疏...
张强汪星曹运峰史涛韩军功王龙
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基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法
本发明公开了一种基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含界面层(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其...
刘红侠范小娇费晨曦卓青青汪星尹淑颖
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基于增强交互方式的远程维修支持系统及方法
本发明提出了一种基于增强交互方式的远程维修支持系统及方法，用于解决现有技术中存在的指导信息准确性差和维修支持效率低的技术问题，实现步骤为：设置专家手势数据的获取参数；手势动作捕捉识别模块获取手势数据；设置手势动作恢复识别...
殷磊孔宪光汪星薛博文
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基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管，其包括Si衬底(1)和位于Si衬底(1)内的埋氧层(2)，以及Si衬底(1)上的外延层(3)，外延层中部内设有漏区(5)，漏区外边界紧邻的外延层上方设有环形栅极(...
刘红侠刘贺蕾冯兴尧陈树鹏赵璐汪星王倩琼李伟
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基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法
本发明公开了一种基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法，主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构在Si衬底上自下而上包含La基高k栅介质薄膜(1)、TiN...
刘红侠汪星赵璐冯兴尧王永特
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原子层淀积La基高k介质材料的性能研究与应用特性研究
在过去的几十年中，微电子技术的发展一直依循着摩尔定律稳步前进。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能也随着器件尺寸的持续缩小而不断提升。然而，在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术发展至45 nm节点时，...
汪星
关键词：原子层淀积场效应晶体管
基于一致性约束非负稀疏表示的多聚焦图像融合方法
本发明提出了一种基于一致性约束非负稀疏表示的多聚焦图像融合方法，用于解决现有技术中存在的融合图像清晰度低和融合复杂度较高的技术问题。其实现步骤是：输入经过配准的源图像；构建源图像的向量化矩阵；构建基于一致性约束的非负稀疏...
张强汪星曹运峰史涛韩军功王龙
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基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法
本发明公开了一种基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该结构自下而上包含Ge衬底(1)、La基高k栅介质薄膜(2)、TiN阻挡层...
刘红侠王永特赵璐汪星费晨曦冯兴尧
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