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12 条 记 录,以下是 1-10
唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任芳
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体工艺 介质 制版 CMOS工艺 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李儒章
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:电路 比较器 模数转换器 跨导放大器 锁存器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:VDMOS器件 VDMOS 半导体工艺 抗辐射加固 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴建
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:多晶硅 氧化层 牺牲层 微电子机械系统 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
税国华
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:互补双极工艺 可靠性 MEMS 传输路径 SPC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阚玲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体工艺 IC芯片 氧化物 可靠性 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐婉静
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:PMOSFET SIGE SI 分子束外延 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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