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刘永强

作品数：19 被引量：23H指数：3
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魏洪涛
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 MMIC GAAS 多功能芯片 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴洪江
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 砷化镓 MMIC 宽带 单片微波集成电路
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刘如青
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 微波单片集成电路 功率放大器 低噪声放大器 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩芹
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：多功能芯片 GAAS 电流复用 单片集成电路 宽带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方园
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 微波单片集成电路 宽带 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李富强
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 MMIC 赝配高电子迁移率晶体管 数字衰减器 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾志
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：GAAS 电路 多功能芯片 超低功耗 功率附加效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘会东
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：多功能芯片 宽带 MMIC 微波单片集成电路 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高学邦
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 微波单片集成电路 毫米波 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔玉兴
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：谐振器 衬底 半导体 腔体 压电层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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