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邹文静

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 9个电子电信

主题

  • 9个电路
  • 9个GAAS
  • 8个MMIC
  • 7个单片
  • 7个单片集成
  • 7个单片集成电路
  • 7个砷化镓
  • 7个集成电路
  • 6个电子迁移率
  • 6个迁移率
  • 5个单片微波
  • 5个单片微波集成...
  • 5个低噪
  • 5个低噪声
  • 5个低噪声放大器
  • 5个多功能芯片
  • 5个移相器
  • 5个数字衰减器
  • 5个数字移相器
  • 5个衰减器

机构

  • 9个南京电子器件...
  • 2个中国电子科技...
  • 1个东南大学
  • 1个微波毫米波单...

资助

  • 1个国家自然科学...
  • 1个国家重点实验...

传媒

  • 9个固体电子学研...
  • 5个电子与封装
  • 3个半导体技术
  • 2个电子元件与材...
  • 1个电子学报
  • 1个东南大学学报...
  • 1个红外与毫米波...
  • 1个稀有金属
  • 1个电子显微学报
  • 1个微波学报
  • 1个真空电子技术
  • 1个混合微电子技...
  • 1个2010年全...
  • 1个第六届全国毫...
  • 1个第十二届全国...
  • 1个2010’全...
  • 1个2000全国...

地区

  • 9个江苏省
共 9 条 记 录，以下是 1-9
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：单片低噪声放大器 超宽带 分布式结构 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭啸
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微光 GAAS 砷化镓 场效应管 高电子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘石生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：数控移相器 MMIC 幅相控制 GAAS_PHEMT 单片电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李光超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 微波单片集成电路 X波段 PIN限幅器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾东铭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 加速寿命试验 MMIC 微波单片集成电路 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 微光 太赫兹 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张磊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 场效应管 高电子迁移率 微光 数字电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹月
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC KU波段 GAN T/R 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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