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赵恒亮

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱正勇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 电子设备 半导体器件 衬底 负电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周华杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 鳍片 自顶向下 沟道效应 硅化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈率
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体 存储器阵列 穿通 半导体器件 沟槽隔离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许淼
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 FINFET 半导体 穿通 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器阵列 衬层 半导体器件 沟道 记忆效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
骆志炯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 堆叠 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊锋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：NAND存储器 NAND 背栅 介质层 外周
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马小龙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 半导体器件 鳍片 纳米线 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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