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马小龙
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70
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
殷华湘
中国科学院微电子研究所
秦长亮
中国科学院微电子研究所
朱慧珑
中国科学院微电子研究所
徐秋霞
中国科学院微电子研究所
陈大鹏
中国科学院微电子研究所
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马小龙
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半导体器件制造方法
一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构;在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙;以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模,刻蚀鳍片,形成源漏区沟槽;执...
殷华湘
秦长亮
马小龙
王桂磊
朱慧珑
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成多个鳍片,其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面;在每个鳍片上形成栅极堆叠结构,栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸;其中,每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部...
马小龙
殷华湘
许淼
朱慧珑
文献传递
堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法,包括:在衬底上形成介质堆叠结构;在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽;在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽;在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料;去除介质堆叠结构,留下半导体材...
马小龙
殷华湘
周华杰
徐秋霞
赵恒亮
许淼
朱慧珑
文献传递
CMOS及其制造方法
本发明公开了一种CMOS,包括:第一MOSFET;第二MOSFET,与第一MOSFET类型不同;第一应力衬层,覆盖了第一MOSFET,具有第一应力;第二应力衬层,覆盖了第二MOSFET,具有与第一应力类型不同的第二应力;...
殷华湘
马小龙
徐秋霞
陈大鹏
文献传递
堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法,包括:步骤a,在衬底上形成硬掩模;步骤b,刻蚀衬底形成第一沟槽;步骤c,在第一沟槽底部形成底部刻蚀停止层;步骤d,刻蚀第一沟槽,在第一沟槽侧面形成第二沟槽;步骤e,圆润化鳍片,形成堆叠...
马小龙
秦长亮
殷华湘
付作振
文献传递
堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法,包括:在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片;在每个鳍片中形成多个纳米线,相邻纳米线之间具有保护层;在纳米线上形成沿第二方向延伸并包围多个纳米线的伪栅极堆叠;在伪栅极堆叠两侧形成源漏区,...
殷华湘
马小龙
秦长亮
朱慧珑
陈大鹏
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成栅极堆叠结构;在栅极堆叠结构周围形成假栅极侧墙;在衬底、栅极堆叠结构以及假栅极侧墙上沉积DLC材质的应力垫层;执行退火,使得栅极堆叠结构和栅极堆叠结构下方的衬底中的沟...
殷华湘
梁擎擎
马小龙
文献传递
FinFET器件及其制作方法
本发明公开了一种FinFET器件及其制造方法,包括:多个鳍片结构,在衬底上沿第一方向延伸;多个栅极堆叠,沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片结构;多个源漏区,位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧;多个沟道区,由位于多个源漏区之间的...
殷华湘
马小龙
徐唯佳
徐秋霞
朱慧珑
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堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法
本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法,包括:由多个纳米线上下层叠构成的串珠状的纳米线堆叠,在衬底上沿第一方向延伸;多个栅极堆叠,沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠;多个源漏区,位于每个栅极堆叠沿第二方向...
殷华湘
马小龙
徐唯佳
徐秋霞
朱慧珑
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鳍式场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法,包括步骤:提供衬底,所述衬底上形成有鳍,鳍之间形成有隔离;在鳍上形成栅极;去除栅极两端的部分厚度的鳍,以形成下沉区;进行外延生长及原位掺杂,以在下沉区表面上形成具有第一掺杂类型...
殷华湘
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王桂磊
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