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程勇鹏

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 3个电子电信
  • 2个一般工业技术
  • 2个理学
  • 1个化学工程
  • 1个机械工程
  • 1个电气工程
  • 1个自动化与计算...
  • 1个自然科学总论

主题

  • 3个单模
  • 2个单模光纤
  • 2个单模条件
  • 2个单片
  • 2个单片集成
  • 2个氮化
  • 2个电感耦合
  • 2个电感耦合等离...
  • 2个电极
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  • 2个电子器件
  • 2个电子束光刻
  • 2个电阻
  • 2个调谐
  • 1个单晶
  • 1个单晶硅
  • 1个氮化硅
  • 1个氮化铝

机构

  • 3个中国科学院
  • 1个北方交通大学

资助

  • 3个国家重点基础...
  • 3个国家自然科学...
  • 2个国家高技术研...
  • 1个北京市科技计...
  • 1个中央民族大学...

传媒

  • 3个物理学报
  • 2个光电子．激光
  • 2个Journa...
  • 2个物理
  • 2个红外与毫米波...
  • 2个光子学报
  • 2个中国科学（E...
  • 2个微细加工技术
  • 2个微纳电子技术
  • 2个2011年全...
  • 2个第十二届全国...
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  • 2个第十四届全国...
  • 1个半导体技术
  • 1个激光与光电子...
  • 1个中国激光
  • 1个光散射学报
  • 1个电子器件
  • 1个激光与红外
  • 1个半导体光电

地区

  • 3个北京市
共 3 条 记 录，以下是 1-3
陈少武
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 波导 刻蚀 硅基 电光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任光辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：可调谐 波导 微环 耦合器 脊型光波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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