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徐秋霞

作品数：366 被引量：60H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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地区

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殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许高博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 介质层 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周华杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 鳍片 自顶向下 沟道效应 硅化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱鹤
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：英文 SOI 刻蚀 自对准硅化物 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝钦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束曝光 电子束直写 抗蚀剂 电子束
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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