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周华杰

作品数：62 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 24篇金属栅
  • 21篇鳍片
  • 21篇沟道
  • 21篇半导体
  • 19篇自顶向下
  • 19篇沟道效应
  • 17篇晶体管
  • 15篇刻蚀
  • 15篇场效应
  • 15篇场效应晶体管
  • 13篇硅化
  • 12篇多晶
  • 12篇多晶硅
  • 11篇体效应
  • 11篇自加热
  • 11篇自加热效应
  • 11篇浮体效应
  • 10篇金属
  • 10篇硅衬底
  • 10篇衬底

机构

  • 62篇中国科学院微...

作者

  • 62篇周华杰
  • 61篇徐秋霞
  • 15篇宋毅
  • 11篇朱慧珑
  • 10篇许高博
  • 5篇陈大鹏
  • 4篇梁擎擎
  • 3篇殷华湘
  • 3篇马小龙
  • 2篇牛洁斌
  • 2篇许淼
  • 2篇赵恒亮
  • 1篇吴昊
  • 1篇钟兴华
  • 1篇赵超
  • 1篇林钢
  • 1篇蔡小五
  • 1篇海潮和

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇电子器件
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 10篇2014
  • 7篇2013
  • 12篇2012
  • 8篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法
本发明公开了一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入<Sup>14</Sup>N<Sup>+</Sup>；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅...
周华杰徐秋霞
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一种全硅化金属栅的制备方法
一种全硅化金属栅电极的制备方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入<Sup>14</Sup>N<Sup>+</Sup>；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，并...
周华杰徐秋霞
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一种场效应晶体管的制备方法
本申请公开了一种场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片的顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；其中，所述鳍片下方的半导体衬底中包括隔离介质层。本发明在体硅衬底上制...
周华杰宋毅徐秋霞
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一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法
一种制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积三层介质膜(缓冲SiO<Sub>2</Sub>氧化层/SiN/氧化物介质层)，电子束曝光，刻蚀凹槽和fin，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si...
宋毅徐秋霞周华杰
N型MOSFET的制造方法
公开了一种N型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层...
徐秋霞朱慧珑许高博周华杰
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种半导体器件制造方法，用于叠层晶体管的制造，基于多层Si材料层和多层SiGe材料层交替堆叠组成的叠层结构而形成鳍片，并通过选择性地去除其中的SiGe材料层、形成栅极堆栈，非常方便地形成了以多层Si材料层为沟...
徐唯佳马小龙殷华湘周华杰徐秋霞
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一种鳍型场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导...
周华杰徐秋霞宋毅
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电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法
一种电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep 520胶图形作为掩瞙，用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si，将高分辨率Zep 520胶图形转...
徐秋霞周华杰
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一种半导体场效应晶体管的制备方法
本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法，包括：形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结...
周华杰徐秋霞
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P型MOSFET的制造方法
公开了一种P型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层...
徐秋霞朱慧珑周华杰许高博梁擎擎
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