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金龙

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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
张卫红
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET ALGAN/GAN 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王泉慧
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 HFET 场板 氮化镓 铝镓氮
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陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
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沈波
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 位错 成核
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吴英
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HBT ALGAAS/GAAS 双极晶体管 HEMT DCFL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王柏年
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MESFET MES HFET FET放大器 ALGAN/GAN
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杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖秀红
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：双极晶体管 GHZ 半导体器件 最高振荡频率 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 砷化镓 HBT GAAS_PHEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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