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罗卫军
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115
被引量:32
H指数:3
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘新宇
中国科学院微电子研究所
陈晓娟
中国科学院微电子研究所
庞磊
中国科学院微电子研究所
袁婷婷
中国科学院微电子研究所
王晓亮
中国科学院半导体研究所
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刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
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陈晓娟
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:ALGAN/GAN HEMT KU波段 氮化镓 内匹配
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庞磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:ALGAN/GAN_HEMT 研磨工艺 氮化镓 减薄 金属
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袁婷婷
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:DOHERTY功率放大器 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 KU波段 微带型
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王晓亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
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汪宁
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
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魏珂
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
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肖红领
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
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王翠梅
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
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研究领域
胡国新
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 金属有机物化学气相沉积 迁移率 MOCVD 成核
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