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洪根生

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罗静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：背栅 集成电路 ESD保护结构 版图 硅膜
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王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 背栅效应 背栅 负电压 寄生
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徐静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 反熔丝 抗辐射 CMOS工艺 总剂量辐射
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陈正才
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 材料制备技术 PD_SOI 半导体
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刘国柱
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
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