罗静
- 作品数：45 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构
- 本实用新型涉及一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构，其包括半导体基板及有源区；半导体基板的有源区内淀积有多晶栅，有源区内对应淀积形成多晶栅的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在源端注入保护环...
- 罗静徐睿邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- 基于FPGA的多节点1553B总线协议处理器的实现被引量：2
- 2016年
- 研究设计了一种多节点的1553B总线协议处理器,可以模拟整套1553B总线系统,既可以作为测试设备,也可作为总线上的多个节点在实际应用中使用。针对总线协议处理器逻辑与存储资源占用高、难以单片实现的问题,提出了多核MIMD架构的实现思路,有效地降低了逻辑资源的使用量,使其可以在单片FPGA上实现。基于软硬件融合的理念,通过自定义专用指令集增加指令并行度来提高指令执行的效率,增强了系统的实时性,使其可以在低频时钟下运行,从而降低了系统的功耗。
- 潘滨周昕杰罗静
- 关键词：多核MIMDFPGA
- 一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置...
- 刘国柱徐静陈正才洪根生王栋罗静
- 文献传递
- 一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构
- 本发明涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路；信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时...
- 周昕杰薛忠杰王栋罗静徐睿周毅
- 文献传递
- 一种抗辐射加固检错纠错电路的设计被引量：2
- 2010年
- 分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路。重点介绍了逻辑设计、版图设计和抗辐射加固设计。电路采用商用标准CMOS工艺加工,使用版图级、单元级和电路级等多层次的0.5 μm综合体硅加固技术,提高了抗辐射能力。试验结果表明,电路的抗辐射总剂量最高可达3.6 kGy(Si)。
- 徐睿顾展弘罗静
- 关键词：抗辐射加固总剂量辐射
- 一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构
- 本发明涉及一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其包括SOI基板，SOI基板包括硅膜；硅膜的上部刻蚀有沟槽，沟槽内的侧壁及底部生长有第一隔离层，第一隔离层对应于位于沟槽槽底的中心区刻蚀形成生长窗口，沟槽内通...
- 周昕杰罗静薛忠杰于宗光
- 一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
- 本实用新型涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，器包括半导体基板；所述半导体基板上设置有源区，所述有源区内设置对称分布的场氧区，所述场氧区通过对应的有源区隔离；所述有源区内设有栅极端，场氧区对称分布于...
- 罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- 一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构
- 本实用新型涉及一种基于部分耗尽型SOI工艺的抗辐射MOS器件结构，其包括SOI基板，SOI基板包括硅膜；硅膜的上部刻蚀有沟槽，沟槽内的侧壁及底部生长有第一隔离层，第一隔离层对应于位于沟槽槽底的中心区刻蚀形成生长窗口，沟槽...
- 周昕杰罗静薛忠杰于宗光
- 文献传递
- SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构
- 本发明涉及一种SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构，其包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜；所述硅膜上设置有源区，所述有源区的外圈设有隔离区；所述有源区包括第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区的外...
- 罗静薛忠杰周昕杰胡永强周毅
- 文献传递
- 一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
- 本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，器包括半导体基板；所述半导体基板上设置有源区，所述有源区内设置对称分布的场氧区，所述场氧区通过对应的有源区隔离；所述有源区内设有栅极端，场氧区对称分布于栅极...
- 罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
