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杨俊
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44
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H指数:3
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
赵有文
中国科学院大学材料科学与光电技...
董志远
中国科学院半导体研究所
刘京明
中国科学院半导体研究所
谢辉
中国科学院半导体研究所
段满龙
中国科学院半导体研究所
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赵有文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
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董志远
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
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刘京明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:锑化镓 砷化铟 单晶片 GASB 衬底
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谢辉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化铟 锑化镓 单晶片 衬底 砷
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段满龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
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卢伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷 砷化铟 磷化铟 氧化物 INP单晶
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刘刚
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 单晶生长 INAS INP单晶 磷化铟
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王应利
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
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王俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
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胡炜杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 衬底 INAS INP 表面形貌
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