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朱蓉辉

作品数:13 被引量:6H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

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8 条 记 录,以下是 1-8
郑红军
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊鹏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵冀
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:微缺陷 VGF LEC 单晶生长 温控设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹玉华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS 亚表面损伤层 抛光晶片 抛光 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:修整 晶片 气囊充气 平整度 抛光晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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