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王福臣

作品数:11 被引量:7H指数:1
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地区

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林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁波
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:X波段 GAAS 压控振荡器 单片 振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈克金
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 C波段 MESFET 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟志新
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 L波段 硅脉冲功率晶体管 宽带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
翁瑞
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 场效应晶体管 波段 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
华培忠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 场效应晶体管 波段 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾炯
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 功率放大器 单片功率放大器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋山松
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:放大器 行波放大器 微波元件 电子器件 带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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