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张富强

作品数：14 被引量：18H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 23 条 记 录，以下是 1-10
陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志凯
供职机构：中国科学院
研究主题：低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴春林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘力锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：低能离子束 铁磁性 砷化镓 硅 MN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳丽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：低能离子束 硅 钆 磁性半导体 FE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晨龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性半导体 硅 低能离子束 液相外延生长 采光板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周剑平
供职机构：清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
研究主题：MN 离子注入 介电性能 磁性 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨瑞霞
供职机构：河北工业大学
研究主题：砷化镓 GAAS 太阳电池 磷化铟 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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