柴春林
- 作品数：81 被引量：75H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种制备金属铪薄膜材料的方法
- 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 文献传递
- 巨磁电阻多层膜自旋阀的微结构和磁性
- 柴春林
- 关键词：巨磁电阻磁性材料多层膜自旋阀
- 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
- 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...
- 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林
- 文献传递
- 离子束外延技术与新材料研究
- 介绍了离子束外延（Ion-Beam Epitaxy,IBE）技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 文献传递
- 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究被引量：1
- 2003年
- 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
- 宋书林陈诺夫周剑平柴春林杨少延刘志凯
- 关键词：退火GAAS衬底
- 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法
- 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。
- 宋书林陈诺夫周剑平杨少延刘志凯柴春林
- 文献传递
- 在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性被引量：4
- 2000年
- 室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射 ,其强度与晶体质量有关。
- 姚振钰贺洪波柴春林刘志凯杨少延张建辉廖梅勇范正修秦复光王占国林兰英
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底光学特性XRD
- CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”被引量：1
- 2001年
- 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.
- 柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国
- 关键词：PL谱光致发光谱离子价态
- Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响
- 2003年
- 实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex。为了寻找其原因,用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12nm)/NiFe(7um),Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(4um)和Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(3um)/NiFe(5um)3种样品,研究结果表明前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚,但在第3种样品最上层的NiFe表面上,探测到从下层偏聚上来的Cu原子,认为:Cu在NiFe/FeMn层间的存在是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜Hex的一个重要原因。
- 于广华李明华朱逢吾柴春林姜宏伟赖武彦
- 关键词：铜磁性
- 大剂量Mn离子注入GaAs的性质被引量：1
- 2005年
- 在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.
- 宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延刘志凯
- 关键词：砷化镓X射线衍射
