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冯辉

作品数：11 被引量：27H指数：4
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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共 14 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩红波
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：LDMOS 负载牵引法 共轭匹配 微波功率放大器 ADS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李德昌
供职机构：西安电子科技大学理学院
研究主题：场致发射 LDMOS 碳纳米管 SOI_LDMOS 负载牵引法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任媛媛
供职机构：西安电子工程研究所
研究主题：相控阵雷达 LDMOS ADS 波束形成器 相控阵雷达天线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈炽
供职机构：中国空间技术研究院
研究主题：氮化镓 功率附加效率 输出功率 电极 放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡仕刚
供职机构：湖南科技大学信息与电气工程学院
研究主题：CMOS 教学 MOS器件 栅氧化层 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马腾
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：插入损耗 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 氮化镓 放大器 隔离度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
池雅庆
供职机构：国防科学技术大学
研究主题：单粒子翻转 D触发器 单粒子 双模冗余 缓冲电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晟瑞
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 非极性 衬底 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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