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顾国栋

作品数：86 被引量：11H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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地区

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共 54 条 记 录，以下是 1-10
冯志红
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 场效应晶体管 金刚石 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕元杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 电极 场效应晶体管 肖特基二极管 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋旭波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 场效应晶体管 肖特基二极管 电极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敦少博
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立森
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 倍频电路 二极管 倍频器 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭红雨
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 场效应晶体管 沟道 电极 半导体制造技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩婷婷
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 肖特基二极管 紫外探测器 淀积 阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨大宝
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 倍频电路 太赫兹 平衡式 射频输出
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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