2024年12月4日
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张剑平
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5
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中国科学院半导体研究所
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合作作者
孔梅影
中国科学院半导体研究所
孙殿照
中国科学院半导体研究所
王晓亮
中国科学院半导体研究所
曾一平
中国科学院半导体研究所
林兰英
中国科学院半导体研究所
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孙殿照
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
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王晓亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
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孔梅影
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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朱世荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
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李晓兵
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 GSMBE生长 GSMBE 气态源分子束外延 半导体
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王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
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刘成海
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 二维电子气 ALGAN/GAN 氮化镓 RF-MBE生长
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