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高汉超

作品数：24 被引量：20H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 33 条 记 录，以下是 1-10
陈弘
供职机构：中国汽车技术研究中心
研究主题：汽车碰撞试验 汽车试验 发光二极管 多量子阱 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋中伟
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：分子束外延 GAAS INAS量子点 砷化镓 红外探测器材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周均铭
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 分子束外延 多量子阱 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宝利
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 衬底 多量子阱 旋钮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘林生
供职机构：兰州大学
研究主题：分子束外延 GAAS 砷化镓 磁化强度 磁导率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵宏鸣
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 光荧光谱 光学特性 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佳
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 光荧光谱 光学特性 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘肃
供职机构：兰州大学
研究主题：静电感应器件 SITH 静电感应晶闸管 单晶 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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