周均铭
- 作品数：160 被引量：147H指数：6
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>
- GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析被引量：10
- 2000年
- 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .
- 李娜袁先漳李宁陆卫李志峰窦红飞沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮
- 关键词：砷化镓能级结构红外探测器
- 穿通型高增益AIGaAs/GaAs光电倍增管
- 1992年
- 根据理论分析,在中低速率情况下。
- 魏东平韩卫李国辉周均铭
- 关键词：异质结光电晶体管穿通
- 原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)被引量：3
- 2010年
- 研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。
- 李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积应力
- AlAs氧化层的Raman研究
- 2002年
- 利用 Nomarski光学显微镜和 Raman光谱仪对分子束外延生长的 Al As层热氧化进行了系统的研究。对未氧化 ,氧化及氧化加原位退火的样品分析表明 ,目前氧化热稳定性差的主要因素是随氧化进行而产生的可挥发性产物如 As、As2 O3在氧化层中的残留量。在此分析的基础上 ,优化了氧化条件 ,使 Al As氧化的热稳定性有了质的提高 ,可以经受较高温度的退火 ,并消除了氧化层与两边 Ga
- 王文冲贾海强陈弘王文新李卫黄绮周均铭
- 关键词：RAMAN分子束外延砷化铝分子束外延热稳定性退火
- 中国的分子束外延技术发展及其产业化
- 分子束外延是用超高真空淀积方式生长化合物半导体多层结构的技术,自60年代末由贝尔实验室发明以来,得到学术界及企业界的高度重视,几乎所有的研究化合物半导体的学校及研究所都装备了分子束外延设备,该技术对半导体量子阱,超晶格及...
- 周均铭
- 文献传递
- 蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)
- 2010年
- 采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。
- 于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积
- 纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：3
- 2002年
- 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
- 梁惠来赵振波郭维廉张世林牛萍娟杨中月郝景臣张豫黔王文君魏碧华周均铭王文新
- 关键词：纳米电子器件砷化镓
- In_(0.15)Ga_(0.85)As—GaAs应力层多量子阱中束缚子带—连续带跃迁
- 1990年
- 在10—300K温度范围,研究了稳态发光二极管(LED)辐照对15周期的In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-CaAs(15nm)应力层多量子阱的光电流谱的影响。各跃迁过程对应的光电流峰的强度随LED光强的增大而减弱,并且具有不同的变化规律。据此可区分出束缚子带和连续带间的跃迁及其亚结构,并由跃迁的能量位置,直接确定导带和价带的不连续量,得出重空穴价带的能带台阶Q_v=0.38±0.01。
- 方晓明沈学础侯宏启冯巍周均铭
- 关键词：GAAS跃迁
- 低温下生长高质量的GaAs/AlGaAs多量子阱
- 本文给出了一种新的低温生长方面制备具有窄量子阱的GaAs/AlGaAs多量子阱结构,使其具有高电阻率的尖锐的激子特征,实验证明该生长方法对制备高质量的光折变材料是有效的.
- 郭丽伟韩英军包昌林黄绮周均铭
- 关键词：GAAS/ALGAAS多量子阱材料
- 文献传递
- 制备氮化镓单晶薄膜的方法
- 2004年
- 该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
- 陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
- 关键词：氮化镓单晶薄膜衬底失配
