程兴奎
- 作品数：41 被引量：37H指数：4
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 超晶格结构中电子的波动性被引量：2
- 2001年
- 在温度T =77K ,测量了GaAs/AlGaAs超晶格的光电流 ,观测到在ν =15 89cm-1有一个强电流峰 ,而在ν =1779,2 12 9和 2 40 1cm-1附近存在弱电流峰 .分析认为 ,这些电流峰与电子的波动性有关 .
- 程兴奎周均铭黄绮
- 关键词：超晶格波动性GAAS/ALGAAS砷化镓
- 量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量被引量：3
- 2005年
- 通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.
- 程兴奎连洁王青圃周均铭黄绮闫循领
- 关键词：量子阱红外探测器峰值波长多量子阱材料
- 掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析被引量：2
- 2005年
- 在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认。理论计算和实验结果符合很好。
- 李华程兴奎周均铭黄绮
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
- GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光被引量：1
- 2006年
- 在室温下测量了GaAs/A l0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波长λ=761 nm处存在一较强的发光光峰,此发光峰目前尚未见报道。经理论分析表明,此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光。实验还观测到在λ=786 nm处,λ=798 nm处和λ=824 nm处分别存在一发光峰,分析表明λ=786 nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光;λ=798 nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光;λ=824 nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光。理论计算与实验结果符合的很好。
- 贺利军程兴奎张健李华
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格光致发光
- 量子阱红外探测器能带结构的计算被引量：6
- 2003年
- 利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。
- 连洁王青圃程兴奎李静姜军
- 关键词：量子阱红外探测器电子波QWIP
- GaAs多量子阱的光电流谱
- 在T=77K，测量了GaAs多量子阱的光电流，发现在υ=1312cm<'-1>附近存在一个强电流峰，并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰，强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的，而弱峰与量子阱势垒以上的电...
- 程兴奎周均铭黄绮
- 关键词：光电流
- 文献传递
- MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性
- 1996年
- 对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。
- 程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华
- 关键词：MOCVD多量子阱光致发光砷化镓ALGAAS
- 全文增补中
- 量子阱红外探测器的研究与应用被引量：2
- 2002年
- 讨论了量子阱红外探测器的量子阱结构以及光耦合模式的研究状况 ,简要介绍了该探测器在国防、工业、消防和医疗方面的应用。
- 连洁王青圃程兴奎魏爱俭
- 关键词：红外探测器光耦合QWIP
- GaAs/AlGaAs超晶格微带带宽的计算被引量：4
- 2006年
- 利用MBE设备制备GaAs/Al GaAs超晶格材料,在低温(T=77K)下测量样品的光电流谱,从电子波动的观点出发,通过考虑电子波在超晶格阱层/势垒层的反射和干涉,讨论了超晶格的电子态.提出了一种计算超晶格微带带宽的方法,并计算了GaAs/Al GaAs超晶格的微带带宽.理论计算结果和实验结果符合得相当好.
- 贺利军程兴奎李华张健周均铭黄绮
- 关键词：超晶格电子态计算法
- 稀土硅化物的制备及红外吸收光谱
- 1997年
- 报导了由射频溅射制备稀土（Ｙ）硅化物薄膜．样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ－１有一个弱吸收峰．样品进行高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强．我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收。
- 程兴奎王家俭刘汝军于慧
- 关键词：红外吸收光谱射频溅射
