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闫果果
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81
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H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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合作作者
刘兴昉
中国科学院半导体研究所
孙国胜
天域半导体科技有限公司
王雷
中国科学院半导体研究所
曾一平
中国科学院半导体研究所
赵万顺
中国科学院半导体研究所
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刘兴昉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
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孙国胜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
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王雷
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
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赵万顺
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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张峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
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刘斌
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 半导体激光器 真空系统 衬底 薄膜生长
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董林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 4H-SIC 晶体生长 真空系统 薄膜生长
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郑柳
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:4H-SIC 碳化硅 肖特基二极管 真空系统 薄膜生长
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刘胜北
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
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