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许正荣

作品数：19 被引量：18H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

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共 25 条 记 录，以下是 1-10
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄子乾
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PIN二极管 GAAS 砷化镓 单片 金属有机化合物气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桂友
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS_MMIC 高线性 单刀双掷开关 大功率开关 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
翁长羽
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS_MMIC 高线性 单刀双掷开关 大功率开关 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 前置放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓鹏
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP 磷化铟 GS DHBT 电流舵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 砷化镓 HBT MMIC GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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