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王保柱

作品数：40 被引量：49H指数：4
供职机构：河北科技大学信息科学与工程学院更多>>
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地区

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共 42 条 记 录，以下是 1-10
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王新华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电学性能 肖特基二极管 气体传感器 ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：AL组分 心电信号 去噪 RF-MBE 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GAN 金属有机物 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宏新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 氮化镓 GAN RF-MBE 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 MOCVD GAN 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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