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游经碧

作品数:35 被引量:11H指数:2
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领域

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机构

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地区

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12 条 记 录,以下是 1-10
张兴旺
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:六方氮化硼 发光二极管 氮化硼 钙钛矿 立方氮化硼薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志岗
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:六方氮化硼 发光二极管 氮化硼 衬底 SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈诺夫
供职机构:华北电力大学
研究主题:太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张曙光
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 ZNO 电致发光性能 异质结 LN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董敬敬
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 电致发光性能 LN P-GAN 电致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高云
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:旋涂 等离子体刻蚀 磁性纳米颗粒 磁性纳米 磁记录介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范亚明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:立方氮化硼薄膜 N型掺杂 立方氮化硼 离子束辅助沉积 移植性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋琦
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:钙钛矿 太阳能电池 传输层 氧化锡 SNO2
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡培锋
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:ZNO薄膜 欧姆接触 电极 粘附 载流子浓度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
屈盛
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:纳米颗粒阵列 FEPT 等离子体刻蚀 浸涂 双亲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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