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孔岑

作品数：52 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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周建军
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：GAN_HEMT器件 势垒层 金属 金刚石 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 键合 二维电子气 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郁鑫鑫
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 欧姆接触 GAN_HEMT器件 刻蚀 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张凯
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：势垒层 高电子迁移率晶体管 空气桥 肖特基二极管 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 MMIC 功率放大器 单片集成电路 多倍频程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：芯片 在片测试 信号源 扩频 磁膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郁元卫
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：键合工艺 滤波器 微机械 键合 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：布线 放大器电路 微波信号 场效应 锌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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