2024年12月13日
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高斐
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中国科学院半导体研究所
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合作作者
黄大定
中国科学院半导体研究所
李建平
中国科学院半导体研究所
孔梅影
中国科学院半导体研究所
朱世荣
中国科学院半导体研究所
孙殿照
中国科学院半导体研究所
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黄大定
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
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李建平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
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孔梅影
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
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孙殿照
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
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朱世荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
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刘超
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 垂直腔面发射激光器 分子束外延生长 TO封装 锑化物
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林燕霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:晶体管材料 SIGE HBT SIGE/SI GSMBE生长
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刘金平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE GESI/SI 硅化锗 SIGE 硅
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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刘学锋
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE GESI/SI SIGE 锗化硅 硅化锗
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