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胥兴才

作品数:17 被引量:19H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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34 条 记 录,以下是 1-10
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 掩模 干法刻蚀 深亚微米 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢常青
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩敬东
供职机构:中国科学院
研究主题:X射线光刻 LPCVD 氮化硅 掩模 氮化硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:LPCVD X射线光刻 氮化硅 氮化硅薄膜 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲利
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:等离子体 常压 常压等离子体 自由基 等离子体发生器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈朝晖
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 电极 存储器单元 掩模 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董立军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:沟道 氮化硅薄膜 红外焦平面阵列 纳米孔 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨清华
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:掩模 硅衬底 微电子 MEMS 浮栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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