韩敬东
- 作品数：14 被引量：21H指数：2
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学机械工程更多>>
- LPCVD生长低应力氮化硅膜工艺研究
- 本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方面都有大幅度的提高.可广泛应用于X射线光刻掩模制造,微细加工等方面.
- 董立军陈大鹏韩敬东谢常青李兵赵铃莉胥兴才
- 关键词：氮化硅薄膜化学气相沉积
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- LPCVD直接生长纳米硅镶嵌氮化硅复合膜及力学性能研究
- 采用LPCVD方法在石英管式炉内制备SiNx薄膜,衬底为双面抛光的P型<100>硅片,气源为SiH2Cl2和NH3,通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得到不同的SiNx薄膜。对采用上述方法制备的SiNx进行背面光刻...
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵铃莉韩敬东胥兴才
- 文献传递
- 50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
- 2004年
- X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。
- 董立军陈大鹏谢常青韩敬东叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳
- 关键词：X射线光刻掩模金刚石吸收体
- 深亚微米同步辐射X射线光刻模拟
- 模拟技术在光刻技术的发展过程中一直起着非常重要的作用.本文介绍我们采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面的空间光强分布及光刻胶剖面进行的模拟计算.基于面向对象技术,初步...
- 谢常青叶甜春陈大鹏李兵赵玲利胥兴才韩敬东胥俊红
- 关键词：X射线光刻面向对象光刻胶
- 文献传递
- 非接触式微电子机械系统红外温度报警器的制备方法
- 本发明公开了一种制备非接触式MEMS红外温度报警器的方法，包括：在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜；涂光学光刻胶，对光学光刻胶进行光刻显影，形成悬臂梁图形；蒸发铬薄膜，剥离形成铬掩蔽图形；将氮化硅薄膜刻透，得到悬臂...
- 欧毅由春娟罗晓光陈大鹏李超波焦斌斌石莎莉董立军韩敬东刘辉
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- X射线光刻技术研究
- 作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩膜、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电器制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.
- 叶甜春谢常青陈大鹏李兵胥兴才赵玲莉韩敬东胥俊鸿陈朝晖孙加兴杨清华
- 关键词：X射线光刻掩模光刻工艺
- 文献传递
- 氮化硅X射线掩摸研制
- Ｘ射线光刻掩摸是由一片支撑薄膜和附着在薄膜上的Ｘ射线吸收体的图形组成，因此如何通过控制ＳｉＮ〈，ｘ〉薄膜中的应力获得大面积的薄膜材料，就成了ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜制备中的主要问题。该文报到了采用ＬＰＣＶＤ方法在高温下制备富硅...
- 陈大鹏叶甜春赵玲利韩敬东谢常青
- 关键词：X射线光刻掩模LPCVD薄膜应力
- 文献传递网络资源链接
- 同步辐射光刻技术研究进展被引量：4
- 2002年
- 光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术 ,X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种 ,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点 。
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵董立军胥兴才赵玪莉韩敬东彭良强伊福庭韩勇张菊芳
- 关键词：光刻技术X射线光刻掩模集成电路
- 同步辐射x射线光刻实验研究被引量：1
- 1997年
- 采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。
- 谢常青陈梦真赵玲莉孙宝银韩敬东朱樟震张菊芳
- 关键词：X射线光刻X射线掩模
- 氮化硅X射线光刻掩膜
- 本文报道了采用LPCVD方法制备用于X射线光刻掩膜的富硅型SiN薄膜。根据SiN的成膜率和应力测试结果并结合透射电镜观测结果,分析了富硅型SiN薄膜的微观结构及其膜内应力之间的相互影响,并在薄膜内部发现存在一种纳米级取向...
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵玲利韩敬东胥兴才胥俊红陈昭辉
- 关键词：掩膜复合膜
- 文献传递
