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王晓燕

作品数：12 被引量：7H指数：2
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王保柱
供职机构：河北科技大学信息科学与工程学院
研究主题：GAN 电学性能 成核 生长温度 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宏新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 氮化镓 GAN 二维电子气 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王新华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电学性能 肖特基二极管 气体传感器 ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭伦春
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 焊接过程 搅拌头 搅拌摩擦焊接 搅拌摩擦
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 碳化硅衬底 GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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