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15 条 记 录,以下是 1-10
程伟
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:磷化铟 发射极 金属 圆片 旋涂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛斌
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:肖特基二极管 空气桥 金属 磷化铟 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴立枢
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:衬底 键合 键合材料 金刚石 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵岩
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:旋涂 磷化铟 圆片 盐酸清洗 发射极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱健
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MEMS 硅基 微机电系统 MEMS开关 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常龙
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:磷化铟 干法刻蚀 减薄 子层 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:发射极 基极 外延片 超晶格结构 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海琪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 BCB 亚微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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