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王元

作品数:20 被引量:22H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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27 条 记 录,以下是 1-10
程伟
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:INP DHBT 磷化铟 HBT工艺 MMIC
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陆海燕
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常龙
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:INP DHBT 磷化铟 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛斌
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:磷化铟 DHBT 太赫兹 INP INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙岩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:INP DHBT 太赫兹 磷化铟 GHZ
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵岩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS_PHEMT SI 异质结双极型晶体管 集成技术 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:分子束外延 GAAS INGAAS DHBT 费米能级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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