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朱赤

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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主题

  • 11个GAAS
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  • 9个低噪声
  • 9个低噪声放大器
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机构

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传媒

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  • 1个物理学报
  • 1个物理学进展

地区

  • 11个江苏省
共 11 条 记 录，以下是 1-10
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 GAN 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张政
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：波段 GAN高电子迁移率晶体管 NM 放大器 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 GAAS T形栅 截止频率 INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高剑锋
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HEMT器件 T形栅 截止频率 METAMORPHIC GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 微光 太赫兹 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章军云
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS PHEMT 光刻机 单片 电镀镍
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴礼群
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波 T/R组件 微波单片集成电路 固态功率放大器 相位噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈金远
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：在片测试 测试技术 集成电路芯片 射频集成电路 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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