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赵超

作品数：561 被引量：33H指数：4
供职机构：清华大学更多>>
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李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟汇才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 栅极 衬底 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦长亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 栅极 沟道 鳍片 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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