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王桂磊

作品数：227 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 222篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 102篇半导体
  • 71篇半导体器件
  • 55篇迁移率
  • 55篇衬底
  • 49篇沟道
  • 40篇载流子
  • 38篇载流子迁移率
  • 38篇刻蚀
  • 34篇栅极
  • 26篇介质层
  • 23篇锗
  • 21篇纳米
  • 19篇叠层
  • 19篇迁移
  • 17篇导体
  • 17篇鳍片
  • 17篇纳米线
  • 17篇半导体结构
  • 17篇侧墙
  • 13篇探测器

机构

  • 227篇中国科学院微...
  • 9篇广东省大湾区...
  • 2篇贵州大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇山西师范大学
  • 1篇西安工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 227篇王桂磊
  • 114篇李俊峰
  • 88篇赵超
  • 79篇殷华湘
  • 49篇杨涛
  • 38篇朱慧珑
  • 38篇李俊杰
  • 30篇王文武
  • 29篇刘金彪
  • 29篇秦长亮
  • 26篇李永亮
  • 26篇罗军
  • 17篇崔虎山
  • 14篇熊文娟
  • 12篇张青竹
  • 12篇高建峰
  • 11篇尹海洲
  • 10篇徐强
  • 9篇傅剑宇
  • 8篇李春龙

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 1篇2024
  • 23篇2023
  • 15篇2022
  • 21篇2021
  • 33篇2020
  • 26篇2019
  • 22篇2018
  • 16篇2017
  • 29篇2016
  • 16篇2015
  • 14篇2014
  • 7篇2013
  • 4篇2012
共 227 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成伪栅极堆叠结构；在衬底中伪栅极堆叠结构两侧形成源漏区，并且在衬底上伪栅极堆叠结构两侧形成栅极侧墙；去除伪栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成界面层、栅极绝...
王桂磊杨涛徐强闫江李俊峰赵超
文献传递
一种半导体结构及其制备方法
本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成有锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐变缓冲层上方形成有第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上形成有锗量子阱层，锗量子阱层上形...
孔真真王桂磊张毅文亨利·H·阿达姆松杜勇苗渊浩
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载...
王桂磊李春龙赵超李俊峰
文献传递
半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的...
王桂磊刘金彪高建峰李俊峰赵超
文献传递
半导体器件制造方法
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏区沟槽；执...
殷华湘秦长亮马小龙王桂磊朱慧珑
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半导体结构与其制作方法
本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：步骤S1，形成具有凹槽的基底，基底包括衬底与介电层；步骤S2，在凹槽中设置半导体材料，形成纳米线；步骤S3，在纳米线的裸露表面上以及介电层的裸露表面设置...
亨利·H·阿达姆松王桂磊罗军
文献传递
一种多孔悬膜及其制备方法
本申请公开了一种多孔悬膜及其制备方法，其中，多孔悬膜的制备方法利用键合工艺在具有氧化硅层的硅衬底表面键合另外一个硅衬底，然后对其中的一个硅衬底进行减薄和刻蚀后形成由多个第一通孔构成的图形的悬膜层，并对另外一个硅衬底与第一...
杨涛王桂磊李俊峰
一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层...
王桂磊赵超徐强陈韬杨涛李俊峰
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层和第二堆叠层之间的介质层可以作为隔离层，第一堆叠层形成于纵向贯...
王桂磊亨利·H·阿达姆松孔真真李俊杰刘金彪李俊峰殷华湘
一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法
本发明属于半导体集成技术领域，公开了一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硅基光波导线条；对含有所述硅基光波导线条的衬底进行氢气退火，所述氢气退火的腔室压力为：20Torr‑1atm。本发明...
王桂磊张严波亨利·雷德森李俊峰赵超
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