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沈宏昌

作品数：32 被引量：44H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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韩群飞
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：单刀双掷开关 移相器 超宽带 补偿电路 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：铝镓氮 电极 栅电极 接触系统 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘晓枫
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 数控移相器 砷化镓 INP HBT工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曲俊达
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：异质结双极晶体管 KU波段 SIGE 幅相 单刀双掷开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李思其
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：补偿电路 单刀双掷开关 微波 阻抗匹配 传输线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 GAAS MMIC GAN 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李健康
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：KU波段 异质结双极晶体管 SIGE 幅相 单刀双掷开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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