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曹慧梅

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
孙文荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕旭如
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 孪晶 抛光 固液界面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨子祥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 孪晶 抛光 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建群
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 单晶 孪晶 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段满龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦景华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 孪晶 半绝缘 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志远
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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