吕旭如
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：8
- 2003年
- 通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。
- 赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群曹慧梅吕旭如
- 关键词：磷化铟单晶孪晶固液界面半导体材料
- 高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
- 2006年
- 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥吕旭如王应利
- 关键词：砷化铟掺杂抛光
- 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备被引量：3
- 2006年
- 分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了“开盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.
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- 关键词：磷化铟衬底抛光
- 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)被引量：3
- 2004年
- 在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究 ,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关。迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于 0 .1～ 0 .4eV之间的缺陷。高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生 ,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料。根据这些结果 ,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法。
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- 关键词：深能级缺陷
- (100)磷化铟单晶生长及其性质的研究
- 通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性....
- 赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群董志远曹慧梅吕旭如曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：单晶生长孪晶半导体材料
- 文献传递
