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倪金玉

作品数：32 被引量：43H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 43 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 SIC衬底 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 GAN SIC衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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