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饶志鹏
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H指数:3
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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合作作者
李超波
浙江大学电气工程学院
万军
浙江大学电气工程学院
陈波
浙江大学电气工程学院
夏洋
中国科学院微电子研究所
石莎莉
中国科学院微电子研究所
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李超波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
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万军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
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陈波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
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夏洋
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
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石莎莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
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刘键
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化碳薄膜 氮化碳
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李勇滔
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
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黄成强
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 含碳 前驱体 含氮 金属表面
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夏洋
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS 等离子体
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李楠
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
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