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胡志远
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24
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H指数:2
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家科技重大专项
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张正选
中国科学院上海微系统与信息技术...
邹世昌
中国科学院上海微系统与信息技术...
毕大炜
中国科学院研究生院
宁冰旭
中国科学院研究生院
彭超
中国科学院上海微系统与信息技术...
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张正选
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
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邹世昌
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
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毕大炜
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 沟道 总剂量 沟槽隔离 SOI材料
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宁冰旭
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:沟道 沟槽隔离 SOI 深亚微米器件 微米
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彭超
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI ESD 沟道 网络 驱动电流
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陈明
供职机构:中国科学院
研究主题:总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
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刘张李
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:深亚微米器件 沟槽隔离 沟道 微米 总剂量辐射效应
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樊双
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:ESD 网络 两级保护 SOI 保护网络
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邵华
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:沟槽隔离 总剂量效应 总剂量辐照效应 MOSFET器件 MOSFET
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武爱民
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:硅基 硅 波导 光子晶体 锗
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