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彭超

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 4篇沟道
  • 4篇SOI
  • 3篇电阻
  • 3篇驱动电流
  • 3篇网络
  • 3篇ESD
  • 3篇两级保护
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇栅极
  • 2篇方块电阻
  • 2篇MOS器件
  • 1篇地线
  • 1篇电路
  • 1篇电势
  • 1篇电压
  • 1篇动态阈值
  • 1篇有源
  • 1篇源区
  • 1篇双栅

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇胡志远
  • 8篇邹世昌
  • 8篇宁冰旭
  • 8篇张正选
  • 8篇彭超
  • 5篇毕大炜
  • 3篇樊双

年份

  • 3篇2017
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种测试MOS器件阱电阻的方法
本发明提供一种测试MOS器件阱电阻的方法，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：选取芯片中的一个MOS管，将其源极及体区接地，并在栅极加上工作电压VDD，在漏极加上扫描电流I<Sub>D</Sub>，同时测量漏极电压V...
胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
文献传递
一种双栅SOI器件结构及其制作方法
本发明提供一种双栅SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底及形成于SOI衬底中并通过浅沟槽隔离结构隔离的MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极、栅极接触、源极接触及漏极接触；所述MOS晶体管还包括背栅...
胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
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一种SOI器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶...
胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
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一种SOI ESD两级保护网络
本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述...
宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
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一种SOI ESD两级保护网络
本发明提供一种SOIESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括缓冲电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及偏置电阻，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接...
宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
文献传递
一种测试MOS器件阱电阻的方法
本发明提供一种测试MOS器件阱电阻的方法，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：选取芯片中的一个MOS管，将其源极及体区接地，并在栅极加上工作电压VDD，在漏极加上扫描电流I<Sub>D</Sub>，同时测量漏极电压V...
胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
文献传递
一种SOI器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶...
胡志远张正选宁冰旭毕大炜彭超邹世昌
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一种SOI ESD两级保护网络
本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述...
宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
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