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刘爱华

作品数：6 被引量：4H指数：2
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
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地区

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共 25 条 记 录，以下是 1-10
张伟
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT 锗硅异质结双极晶体管 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉东
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付玉霞
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT 集成电路 HBT 干法刻蚀 SIGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李希有
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT RIE 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
仲涛
供职机构：清华大学
研究主题：RIE 集成电路 正交试验 铝 VLSI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊小义
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT HBT SIGE 多晶发射极 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
鲁勇
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：半导体器件 半导体 集成电路 遗传算法 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林发永
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：集成电路 干法刻蚀 二氧化硅 计算机辅助制造 控制图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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